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半導體晶體生長系列
· 氮化鎵晶體生長室（高溫高壓鈉流法）
用途：
凝殼爐鑄造用石墨型殼、陶瓷型殼真空下除氣處理及金屬材料的淬火后的回火及各種材料、零件真空下的脫脂除氣。
優(yōu)勢與特點：
新型加熱室結構，加熱更均勻，損耗功率小，更節(jié)能。
爐門配有獨特密封結構，確保正負壓雙方向密封。
設備皮實，耐用，適用于惡劣工況。
可選項：
1、井式爐；
2、底裝爐；
目前該設備已形成系列化產品，不在系列范圍內的可根據客戶要求定制。
地址：沈陽市大東區(qū)萬柳塘路2號
傳真：024-24809927
Email：yb@sy-vac.com
網址：m.jieshi78.com
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